描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 45 毫欧 @ 3.4A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.1V @ 10?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 310pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-VQFN | 供应商设备封装 | 6-PQFN(2x2) |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRLHS6342TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6342TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
【International Rectifier】IRLHS6376TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
【International Rectifier】IRLHS6376TRPBF,MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
【International Rectifier】IRLI2203N,MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
【International Rectifier】IRLI2203NPBF,MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
【International Rectifier】IRLI2505,MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
【International Rectifier】IRLI2910,MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP