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IRLL3303TR

描述MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 4.6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds840pF @ 25V
功率 - 最大1W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)

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