| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 250 毫欧 @ 930mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 700mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 540mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | Micro3?/SOT-23 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRLML2402PBFTR |
【International Rectifier】IRLML2502GTRPBF,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML2502TR,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2502TRPBF,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2803GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML2803TR,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2803TRPBF,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
