您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分立半导体 > irlml2502
  • IRLML2502

IRLML2502

宽度1.4mm封装类型Micro3
尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm引脚数目3
最低工作温度-55 °C最大功率耗散1250 mW
最大栅源电压±12 V最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.045最大连续漏极电流4.2 A
最高工作温度+150 °C每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET通道模式增强
通道类型N配置
长度3.04mm高度1.02mm

“IRLML2502”电子资讯

  • 面向以太网电源的高功率设计分析

    rs4b提供期望的更大电流。把rs4b设置为0.5ω(与rs4的数值相同),就可以把大功率模式设置为802.3af的功率电平的两倍。 当q4b关闭的时候,端口工作在符合802.3af标准的模式。打开q4b开关,端口就工作在大电流模式。这种切换可以在任何时间进行:在检测/分类之前;在检测/分类之后,但是要在端口上电之前;或在供电之后。注意,q4b可以采用低压 mosfet,因为仅仅q4的漏极具有高端口电压。q4b要选择导通电阻非常低的mosfet,以防止在更大电流限制中精度不够。例如, irlml2502就是采用sot-23封装的一种合适的器件。 对pd的改变稍微复杂一些(图2b),因为内部的mosfet被预先配置为工作在375ma限制电流。然而,添加受pwrgd引脚控制的外部无源器件,就容许工作在大电流模式;与此同时,维持完整的802.3af检测和分类特征,且限制瞬间峰值电流。 图2b:两对大功率pd。 四对小电流方案 为了增加传递到pd的功率,另外一种技术是在cat-5电缆中为所有四对线供电。图4a所示为四对pse电路,其中每一对都具有标准的802.3af电源。 ...

“IRLML2502”技术资料

  • 面向以太网电源的高功率设计分析

    4b提供期望的更大电流。把rs4b设置为0.5ω(与rs4的数值相同),就可以把大功率模式设置为802.3af的功率电平的两倍。 当q4b关闭的时候,端口工作在符合802.3af标准的模式。打开q4b开关,端口就工作在大电流模式。这种切换可以在任何时间进行:在检测/分类之前;在检测/分类之后,但是要在端口上电之前;或在供电之后。注意,q4b可以采用低压 mosfet,因为仅仅q4的漏极具有高端口电压。q4b要选择导通电阻非常低的mosfet,以防止在更大电流限制中精度不够。例如, irlml2502就是采用sot-23封装的一种合适的器件。 对pd的改变稍微复杂一些(图2b),因为内部的mosfet被预先配置为工作在375ma限制电流。然而,添加受pwrgd引脚控制的外部无源器件,就容许工作在大电流模式;与此同时,维持完整的802.3af检测和分类特征,且限制瞬间峰值电流。 图2b:两对大功率pd。 四对小电流方案 为了增加传递到pd的功率,另外一种技术是在cat-5电缆中为所有四对线供电。图4a所示为四对pse电路,其中每一对都具有标准的802.3a ...

“IRLML2502”DZBBS

irlml2502的相关型号: