宽度 | 1.4mm | 封装类型 | Micro3 |
---|---|---|---|
尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | 引脚数目 | 3 |
最低工作温度 | -55 °C | 最大功率耗散 | 1250 mW |
最大栅源电压 | ±12 V | 最大漏源电压 | 20 V |
最大漏源电阻值 | 0.045 | 最大连续漏极电流 | 4.2 A |
最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
通道类型 | N | 配置 | 单 |
长度 | 3.04mm | 高度 | 1.02mm |
rs4b提供期望的更大电流。把rs4b设置为0.5ω(与rs4的数值相同),就可以把大功率模式设置为802.3af的功率电平的两倍。 当q4b关闭的时候,端口工作在符合802.3af标准的模式。打开q4b开关,端口就工作在大电流模式。这种切换可以在任何时间进行:在检测/分类之前;在检测/分类之后,但是要在端口上电之前;或在供电之后。注意,q4b可以采用低压 mosfet,因为仅仅q4的漏极具有高端口电压。q4b要选择导通电阻非常低的mosfet,以防止在更大电流限制中精度不够。例如, irlml2502就是采用sot-23封装的一种合适的器件。 对pd的改变稍微复杂一些(图2b),因为内部的mosfet被预先配置为工作在375ma限制电流。然而,添加受pwrgd引脚控制的外部无源器件,就容许工作在大电流模式;与此同时,维持完整的802.3af检测和分类特征,且限制瞬间峰值电流。 图2b:两对大功率pd。 四对小电流方案 为了增加传递到pd的功率,另外一种技术是在cat-5电缆中为所有四对线供电。图4a所示为四对pse电路,其中每一对都具有标准的802.3af电源。 ...
4b提供期望的更大电流。把rs4b设置为0.5ω(与rs4的数值相同),就可以把大功率模式设置为802.3af的功率电平的两倍。 当q4b关闭的时候,端口工作在符合802.3af标准的模式。打开q4b开关,端口就工作在大电流模式。这种切换可以在任何时间进行:在检测/分类之前;在检测/分类之后,但是要在端口上电之前;或在供电之后。注意,q4b可以采用低压 mosfet,因为仅仅q4的漏极具有高端口电压。q4b要选择导通电阻非常低的mosfet,以防止在更大电流限制中精度不够。例如, irlml2502就是采用sot-23封装的一种合适的器件。 对pd的改变稍微复杂一些(图2b),因为内部的mosfet被预先配置为工作在375ma限制电流。然而,添加受pwrgd引脚控制的外部无源器件,就容许工作在大电流模式;与此同时,维持完整的802.3af检测和分类特征,且限制瞬间峰值电流。 图2b:两对大功率pd。 四对小电流方案 为了增加传递到pd的功率,另外一种技术是在cat-5电缆中为所有四对线供电。图4a所示为四对pse电路,其中每一对都具有标准的802.3a ...
irlml2502 4.5a sot-23 ...
【International Rectifier】IRLML2502GTRPBF,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML2502TR,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2502TRPBF,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2803GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML2803TR,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2803TRPBF,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23