描述 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 250 毫欧 @ 910mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 5 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 85 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 540mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro3?/SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
【International Rectifier】IRLML5103GTRPBF,MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML5103TR,MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
【International Rectifier】IRLML5103TRPBF,MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
【International Rectifier】IRLML5203GTRPBF,MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML5203TRPBF,MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
【International Rectifier】IRLML6244TRPBF,MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23
【International Rectifier】IRLML6246TRPBF,MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23