描述 | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 46 毫欧 @ 4.1A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.1V @ 5?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.5nc @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 290pF @ 16V |
功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRLML6246TRPBFTR |
【International Rectifier】IRLML6302GTRPBF,MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML6302TR,MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
【International Rectifier】IRLML6302TRPBF,MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
【International Rectifier】IRLML6344TRPBF,MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
【International Rectifier】IRLML6346TRPBF,MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
【International Rectifier】IRLML6401GTRPBF,MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3