| 宽度 | 1.4mm | 封装类型 | Micro3 |
|---|---|---|---|
| 尺寸 | 3.05 x 1.4 x 1.01mm | 引脚数目 | 3 |
| 最低工作温度 | -55 °C | 最大功率耗散 | 0.54 W |
| 最大栅源电压 | ±12 V | 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.6 | 最大连续漏极电流 | 0.78 A |
| 最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | P | 配置 | 单 |
| 长度 | 3.05mm | 高度 | 1.01mm |
【International Rectifier】IRLML6302TR,MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
【International Rectifier】IRLML6302TRPBF,MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
【International Rectifier】IRLML6344TRPBF,MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
【International Rectifier】IRLML6346TRPBF,MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
【International Rectifier】IRLML6401GTRPBF,MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML6401TR,MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
【International Rectifier】IRLML6401TRPBF,MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23