| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 440 毫欧 @ 2.8A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 235pF @ 25V | 功率 - 最大 | 3.8W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】IRLW520ATM,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW530ATM,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW610ATM,MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】IRLW620ATM,MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW630ATM,MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
