描述 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR3L |
存储容量 | 4Gb | 存储器组织 | 512M x 8 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 800 MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns | 访问时间 | 20 ns |
电压 - 供电 | 1.283V ~ 1.45V | 工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 78-TFBGA |
供应商器件封装 | 78-TWBGA(8x10.5) |
【ISSI】IS45S16100C1-7BLA1,动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz Automotive Temp
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