描述 | 静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v | Supply Voltage - Max | 3.6 V |
---|---|---|---|
Supply Voltage - Min | 3.135 V | 最大工作电流 | 100 mA |
最大工作温度 | + 70 C | 最小工作温度 | 0 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TSOP-44 |
接口 | TTL | 端口数量 | 1 |
工厂包装数量 | 135 | 类型 | Asynchronous |
其容量为32 mb,它用于存储各种波形的幅度信息,其存储形式如图4所示。 由图4可知,地址区间0x000000~0x01ffff存储正弦波幅度值,地址区间0x020000~0x03ffff存储三角波数据,地址区间0x040000~0x05ffff存储锯齿波数据,地址区间0x060000~0x07ffff存储白噪声数据,地址区间0x080000~0x0fffff为4个用户自定义区,存储4种用户需产生的周期波形数据。 3.2 ram连接电路图 ram采用美国芯成半导体公司的is61lv25616al-10t,其容量为256×103×16 bit,主要用于存储上位机发送的控制命令及波形产生时信号的幅度值,其存储形式如图6所示。 地址区间ox00000~0x1ffff存储上位机发送给下位机的控制命令和数据参数,地址区间ox20000~ox2ffff存储系统要产生信号的波形幅度值。 3.3 信号产生电路连接图 图7为任意信号产生的电路连接图,产生信号频率范围为50 hz~200 khz。其中,ad768为16位高精度d/a转换器,其最大更新速率可达40msps,满足设计要求。 ...
程序下载不到外部sram中,求助!我参考easyarm2200的原理图做了一块板子:采用lpc2214,外扩了is61lv25616al-10t和39vf160。通过jtag下载,采用2100模板,程序可以在内部ram中运行(gpio驱动蜂鸣器)。参考<<arm与嵌入式系统基础实验教程(1)>>p.77页实验3.10,采用2200模板,bank0-ram,bank1-flash, debuginexram方式编译,在axd中采用单步执行,程序走到reset ldr pc, resetaddr ldr pc, undefinedaddr ldr pc, swi_addr ldr pc, prefetchaddr--》 ldr pc, dataabortaddr这一步就提示:dbt warning 00135: cannot set breakpoints in literal pools原理图和easyarm2200的一摸一样,pcb和焊接我也仔细检查过了.请问,这是怎么回事??周工帮忙提示一下吧,调 ...
【ISSI】IS61LV25616AL-10TI,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61LV25616AL-10TI-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61LV25616AL-10TL,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61LV25616AL-10TLI,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61LV25616AL-10TLI-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61LV25616AL-10TL-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61LV25616AL-10T-TR,静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v