描述 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | SRAM | 技术 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 2Mb | 存储器组织 | 256K x 8 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
写周期时间 - 字,页 | 10ns | 访问时间 | 10 ns |
电压 - 供电 | 2.4V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 36-TFBGA |
供应商器件封装 | 36-TFBGA(6x8) |
【ISSI】IS64WV3216BLL-15CTLA3,静态随机存取存储器 512Kb (32Kx16) Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR,静态随机存取存储器 512Kb (32Kx16) Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10CTLA3,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10MA3,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10MA3-TR,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器