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ISL9N303AP3_Q

描述MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level漏极连续电流75 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0032 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间25 ns, 21 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散215 W上升时间80 ns, 69 ns
典型关闭延迟时间35 ns, 51 ns

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