| 描述 | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0095 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 30 ns, 29 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 125 W |
| 上升时间 | 70 ns, 43 ns | 工厂包装数量 | 400 |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns, 62 ns |
【Fairchild Semiconductor】ISL9N306AS3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N307AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N307AP3,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N307AS3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N308AD3,MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N308AD3ST,MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N308AP3,MOSFET N-Ch Trench MOSFET Logic Level