描述 | MOSFET TO-263 | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.0155 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
封装 | Reel | 下降时间 | 30 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 65 W |
上升时间 | 60 ns, 30 ns | 典型关闭延迟时间 | 25 ns, 45 ns |
【Fairchild Semiconductor】ISL9N318AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AD3ST,MOSFET 30V 20a 0.022 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AP3,MOSFET N-Ch PWM Optimized Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AS3ST,MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N327AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N7030BLP3,MOSFET 30V 0.009 Ohm N-Ch Logic Level 74a
【Fairchild Semiconductor】ISL9R1560G2,DIODE STEALTH 600V 15A TO247-2