| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 1.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263（D2Pak） |
| 包装 | 管件 |
