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IXZ211N50

制造商：-
晶体管类型：RF MOSFET
电压, Vds 最大：500V
电流, Id 连续：11A
功耗, Pd：540W
工作温度范围：-55°C 到 +175°C

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产品属性

上升时间	4ns	功率, Pd	540W
在电阻RDS（上）	600mohm	封装类型	DE-275
封装类型	DE-275	晶体???极性	?频道
最大功耗	590W	电压 Vgs @ Rds on 测量	15V
电压, Vds 典型值	500V	电容值, Ciss 典型值	790pF
电流, Idm 脉冲	60A

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