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IXZ308N120

制造商：-
晶体管类型：RF MOSFET
电压, Vds 最大：1.2kV
电流, Id 连续：8A
功耗, Pd：880W
工作温度范围：-55°C 到 +175°C

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参考价格

数量单价
1 -9CNY 435.60
10 -24CNY 396.00
25 -49CNY 363.10
50+CNY 335.00

产品属性

封装类型	DE375	针脚数	6
上升时间	5ns	功率, Pd	880W
在电阻RDS（上）	2.1ohm	封装类型	DE-375
封装类型	DE-375	晶体管极性	?频道
最大功耗	880W	电压 Vgs @ Rds on 测量	20V
电压, Vds 典型值	1.2kV	电容值, Ciss 典型值	1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值	6.5V

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