| 描述 | MOSFET N-CH 5.5V 12A 6WLCSP | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 5.5 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 12A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 6 nC @ 3.5 V | Vgs（最大值） | ±5.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 940 pF @ 5.5 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-WLCSP（1.47x1.47） |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
