描述 | MOSFET N-CH 20WLCSP | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N 沟道(双)共源 | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 5.5V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A(Tj) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 毫欧 @ 10A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 6.7nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 865pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 20-UFLGA,CSP |
供应商器件封装 | 20-WLCSP(2.48x1.17) |