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KSC2310OTA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min70 at 10 mA at 5 V
配置Single最大工作频率100 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92L封装Ammo
集电极连续电流0.8 A最小工作温度- 55 C
功率耗散0.9 W

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