描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 120 at 10 mA at 5 V |
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配置 | Single | 最大工作频率 | 100 MHz |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-92L | 封装 | Ammo |
集电极连续电流 | 0.8 A | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 0.9 W |
【Fairchild Semiconductor】KSC2316OBU,TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2316OTA,TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2316OTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor
【Fairchild Semiconductor】KSC2316YBU,TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2316YTA,TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2316YTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor
【Fairchild Semiconductor】KSC2328AOBU,TRANSISTOR NPN 30V 2A TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2328AOTA,TRANSISTOR NPN 30V 2A TO-92L