| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 50 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-92L |
| 封装 | Ammo | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1 W |
【Fairchild Semiconductor】KSC2330OTA,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330OTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor
【Fairchild Semiconductor】KSC2330RBU,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330RTA,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330RTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor
【Fairchild Semiconductor】KSC2330YBU,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330YH2TA,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】KSC2330YNBU,Transistors Bipolar (BJT)