描述 | TRANSISTOR NPN 120V 50MA TO-92S | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 50mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 120V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 1mA,6V |
功率 - 最大 | 300mW | 频率 - 转换 | 110MHz |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 短体 |
供应商设备封装 | TO-92S | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】KSC2785GBU,TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S
【Fairchild Semiconductor】KSC2785GTA,TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S
【Fairchild Semiconductor】KSC2785GTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor
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