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KSC5026MOSTU

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min20
最大工作频率15 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-126
封装Rail最小工作温度- 55 C
功率耗散20000 mW

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