描述 | Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington | 集电极—基极电压 VCBO | 40 V |
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最大直流电集电极电流 | 0.5 A | 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
功率耗散 | 625 mW | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-92 |
封装 | Bulk | 集电极连续电流 | 0.5 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 10000 |
【Fairchild Semiconductor】KSP25TA,TRANSISTOR NPN 40V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP26BU,TRANSISTOR NPN 50V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP26BU_Q,Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
【Fairchild Semiconductor】KSP26TA,TRANSISTOR NPN 50V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP27BU,TRANSISTOR NPN 60V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP27BU_Q,Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
【Fairchild Semiconductor】KSP27TA,TRANSISTOR NPN 60V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP2907ABU,TRANSISTOR PNP 60V 600MA TO-92