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KSP55BU

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 10 mA at 1 V
配置Single最大工作频率50 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Bulk
最小工作温度- 55 C功率耗散625 mW

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