| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 100 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel | 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 功率耗散 | 350 mW |
【Fairchild Semiconductor】KST10MTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST13MTF,TRANS DARL NPN 30V 300MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST13MTF_Q,Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST14MTF,TRANS DARL NPN 30V 300MA SOT-23