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KST4124MTF_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min120 at 2 mA at 1 V
配置Single最大工作频率300 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
集电极连续电流- 0.2 A功率耗散350 mW

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