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KST43MTF_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min40
配置Single最大工作频率50 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
集电极连续电流0.5 A功率耗散350 mW

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