描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial | 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
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直流集电极/Base Gain hfe Min | 80 | 配置 | Single |
最大工作频率 | 300 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
封装 | Reel | 集电极连续电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 350 mW |
【Fairchild Semiconductor】KST55MTF,TRANSISTOR PNP 60V 500MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST55MTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST56MTF,TRANSISTOR PNP 80V 500MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST56MTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST63MTF,TRANSISTOR PNP 30V 500MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST63MTF_Q,Transistors Darlington PNP Si Transistor Epitaxial