| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 1.2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 125pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 400mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MGSF1N02LT1GOSMGSF1N02LT1GOS-NDMGSF1N02LT1GOSTR |
产品型号:mgsf1n02lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):130最大漏极电流id(on)(a):0.750通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.75a,20v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):￥1.50 来源:xiangxueqin ...
