您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > mjd117itu

MJD117ITU

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min：500 at 0.5 A at 3 V

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Darlington	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	IPAK	封装	Tube
最小工作温度	- 65 C

mjd117itu的相关型号：