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MKI100-12E8

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:5
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3配置全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200VVge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)165A电流 - 集电极截止(最大)1.4mA
Vce 时的输入电容 (Cies)7.4nF @ 25V功率 - 最大640W
输入标准型NTC 热敏电阻
安装类型底座安装封装/外壳E3
供应商设备封装E3

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