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  • MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.10362
  • 6000$0.09734
  • 15000$0.09106
  • 30000$0.08352
  • 75000$0.08038
描述MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 300mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds45pF @ 5V
功率 - 最大225mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)其它名称MMBF0201NLT1GOSMMBF0201NLT1GOS-NDMMBF0201NLT1GOSTR

“MMBF0201NLT1G”技术资料

  • MMBF0201NLT1G的技术参数

    产品型号:mmbf0201nlt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1.400最大漏极电流id(on)(a):0.300通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.3a,20v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin ...

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