| 描述 | TRANSISTOR NPN GP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 400mV @ 20mA，200mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 150mA，5V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 250MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MMBT100-NDMMBT100TR |
