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MMBT100_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 100 uA at 1 V
配置Single最大工作频率250 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
集电极连续电流0.5 A最小工作温度- 55 C
功率耗散350 mW

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