| 描述 | Interface | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 50mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 135 @ 100mA，2V | 功率 - 最大值 | 350 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
【Fairchild Semiconductor】MMBT200,TRANS PNP GP 45V 500MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT200_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】MMBT200A,TRANS PNP GP 45V 500MA SOT-23
【ON Semiconductor】MMBT2131T1,Transistors Bipolar (BJT) 700mA 40V PNP
【ON Semiconductor】MMBT2131T1G,TRANSISTOR BIPOLAR PNP 40V SC746
