| 描述 | TRANSISTOR NPN GP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | - |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | - |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】MMBT3416_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【ON Semiconductor】MMBT3416LT3,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 60V PNP
【Fairchild Semiconductor】MMBT3640,TRANSISTOR PNP SW 12V SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT3640_D87Z,TRANS SW PNP 12V 200MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT3640_Q,Transistors Bipolar (BJT) Switching Transistor PNP
【Fairchild Semiconductor】MMBT3646_Q,Transistors Bipolar (BJT) Switching Transistor NPN