| 描述 | TRANSISTOR PNP GP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 600mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 10mA，300mV |
| 功率 - 最大 | 225mW | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MMBT5771-NDMMBT5771TR |
【Fairchild Semiconductor】MMBT5771_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP/ 15V/ 200mA
【ON Semiconductor】MMBT589LT1,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3G,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
