| 描述 | TRANSISTOR, PNP, -1.0A, -50V, SO | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V | 功率 - 最大值 | 310 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
【ON Semiconductor】MMBT589LT1,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3G,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【Fairchild Semiconductor】MMBT5962_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
