| 描述 | TRANSISTOR RF NPN SOT-23 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | 400MHz | 噪声系数（dB典型值@频率） | - |
| 增益 | - | 功率 - 最大 | 225mW |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 8mA，10V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 50mA |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MMBTH24FS |
【Fairchild Semiconductor】MMBTH24_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN RF Transistor
【Fairchild Semiconductor】MMBTH34_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN RF Transistor
【Fairchild Semiconductor】MMBTH81_D87Z,TRANS RF PNP 20V 50MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBTH81_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP RF Transistor