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MPSH10_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN RF Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min60 at 4 mA at 10 V
配置Single最大工作频率650 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Bulk
最小工作温度- 55 C功率耗散350 W

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