| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose | 最大直流电集电极电流 | 1 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 100 | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 50 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-226 |
| 封装 | Reel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1 W | 工厂包装数量 | 2000 |
【Fairchild Semiconductor】MPSW56_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【ON Semiconductor】MPSW56RLRAG,TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW56RLRP,Transistors Bipolar (BJT) 500mA 80V 1W PNP
【ON Semiconductor】MPSW56RLRPG,TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW63RLRA,TRANS PNP DARL BIPO 1W 30V TO-92