您的位置:维库电子商城 > 晶体管 > FET,MOSFET > msjp06n80a-bp
  • MSJP06N80A-BP

MSJP06N80A-BP

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:5,000 : ¥6.64245散装
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
产品属性
描述InterfaceFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 2.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.6 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)349 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)35W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

msjp06n80a-bp的相关型号: