| 描述 | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 700 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.75W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MTD6N20ET4GOSMTD6N20ET4GOS-NDMTD6N20ET4GOSTR |
产品型号:mtd6n20et4g源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):700最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:n沟道封装/温度(℃):3dpak/-55~150描述:6a,200v,dpak,n沟道功率mosfet价格/1片(套):￥6.86 来源:xiangxueqin ...
