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  • MTW32N20E

MTW32N20E

描述MOSFET N-CH 200V 32A TO-247FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 16A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V
功率 - 最大180W安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247
包装管件其它名称MTW32N20EOS

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