| 描述 | TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 10k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 35 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 310mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装 | SC-70-3（SOT323） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MUN5211T1GOSMUN5211T1GOS-NDMUN5211T1GOSTR |
产品型号:mun5211t1g类型:npn集电极-发射极电压(v):50集电极电流(max)(ma):100直流电流增益(min)(db):35r1(ω):10kr2(ω):10k芯片上标识:－封装/温度(℃):sot-323/-55~150价格/1片(套):￥.25 来源:零八我的爱 ...
【ON Semiconductor】MUN5212DW1T1,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5212DW1T1G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5212T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN
【ON Semiconductor】MUN5212T1G,TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
【ON Semiconductor】MUN5213DW1T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual
【ON Semiconductor】MUN5213DW1T1G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5213DW1T3G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5213T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN