| 描述 | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 22k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 22k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MUN5212DW1T1G-NDMUN5212DW1T1GOSTR |
【ON Semiconductor】MUN5212T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN
【ON Semiconductor】MUN5212T1G,TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
【ON Semiconductor】MUN5213DW1T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual
【ON Semiconductor】MUN5213DW1T1G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5213DW1T3G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5213T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN
【ON Semiconductor】MUN5213T1G,TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
【ON Semiconductor】MUN5214DW1T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual