您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > mun5213t1g
  • MUN5213T1G

MUN5213T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0278
  • 6000$0.02507
  • 15000$0.0218
  • 30000$0.01962
  • 75000$0.01744
描述TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300?A,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大202mW
安装类型表面贴装封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商设备封装SC-70-3(SOT323)包装带卷 (TR)
其它名称MUN5213T1G-NDMUN5213T1GOSTR

mun5213t1g的相关型号: