描述 | Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT Dual | 安装风格 | SMD/SMT |
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封装 / 箱体 | SOT-363-6 | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A | 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
功率耗散 | 187 mW | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 | Reel | 最小工作温度 | - 55 C |
工厂包装数量 | 3000 |
【ON Semiconductor】MUN5215DW1T1G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5215T1G,TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
【ON Semiconductor】MUN5216DW1T1,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5216DW1T1G,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
【ON Semiconductor】MUN5216T1G,TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
【ON Semiconductor】MUN5230DW1T1,TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363